WEKO3
アイテム / Study on Normally-off AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Cap Layer / k3290_abstract
k3290_abstract
| ファイル | ライセンス |
|---|---|
 k3290_abstract.pdf (293.2 kB)
sha256
88f3b6e5f0a83986f19174598739d5292dd465d106018200380a661acaf873c0
|
| 公開日 | 2019-05-30 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイル名 | k3290_abstract.pdf | |||||
| 本文URL | https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/record/2006425/files/k3290_abstract.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | abstract | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 286 KB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
|---|