WEKO3
アイテム / Study on Normally-off AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Cap Layer / k3290_fulltext
k3290_fulltext
| ファイル | ライセンス |
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 k3290_fulltext.pdf (4.8 MB)
sha256
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| 公開日 | 2019-05-30 | |||||
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| ファイル名 | k3290_fulltext.pdf | |||||
| 本文URL | https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/record/2006425/files/k3290_fulltext.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 4.54 MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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