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  1. 学内刊行物
  2. 大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告
  3. 50
  1. 資料タイプ別
  2. 紀要論文

第3世代透明導電性アモルファス薄膜の創製

https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/2001066
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/2001066
4311620f-ae65-442d-9b04-4556ad4c4082
名前 / ファイル ライセンス アクション
EID142506.pdf EID142506.pdf (405 KB)
Item type 文献 / Documents(1)
公開日 2011-03-03
アクセス権
アクセス権 open access
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
タイトル
タイトル 第3世代透明導電性アモルファス薄膜の創製
言語 ja
タイトル
タイトル ダイ3セダイ トウメイ ドウデンセイ アモルファス ハクマク ノ ソウセイ
言語 ja-Kana
タイトル別表記
その他のタイトル Fabrication of Third-Generation Transparent Conducting Amorphous Oxide Thin Films
言語 en
著者 森賀, 俊広

× 森賀, 俊広

WEKO 68
徳島大学 教育研究者総覧 10694/profile-ja.html
e-Rad_Researcher 90239640

ja 森賀, 俊広
ISNI

ja-Kana モリガ, トシヒロ
en Moriga, Toshihiro
Search repository
林, 由佳子

× 林, 由佳子

ja 林, 由佳子
ja-Kana ハヤシ, ユカコ
en Hayashi, Yukako
Search repository
三河, 通男

× 三河, 通男

ja 三河, 通男
ja-Kana ミカワ, ミチオ
en Mikawa, Michio
Search repository
村井, 啓一郎

× 村井, 啓一郎

WEKO 461
徳島大学 教育研究者総覧 21021/profile-ja.html
e-Rad_Researcher 60335784

ja 村井, 啓一郎
ISNI

ja-Kana ムライ, ケイイチロウ
en Murai, Kei-ichiro
Search repository
富永, 喜久雄

× 富永, 喜久雄

ja 富永, 喜久雄
ja-Kana トミナガ, キクオ
en Tominaga, Kikuo
Search repository
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Transparent conducting amorphous thin films in the systems of ZnO－In2O3 and ZnO－SnO2 could
be deposited on glass substrates by simultaneous DC magnetron sputtering and/or pulsed laser
deposition techniques. Post-annealing under the reductive gas flow was effective on improving
surface roughness of the amorphous ZnO－In2O3 films deposited by the sputtering method.
Introduction of Ar gas as a background gas into a chamber enabled to deposit flat transparent
conducting amorphous films directly on the substrates by means of the pulsed laser deposition.
Resistivity of amorphous ZnO－SnO2 thin films deposited by the sputtering increased linearly with
an increase of zinc content, until the composition reached Zn2SnO4. The linear decrease in
resistivity was attributable to a linear carrier concentration probably due to that the increased
number of zinc cations occupying the tetrahedral sites in the amorphous structure.
言語 en
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 transparent conducting oxides
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 thin film
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 amorphous
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 zinc oxide
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 indium oxide
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 tin oxide
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 sputtering
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 pulsed laser deposition
書誌情報 ja : 徳島大学工学部研究報告

巻 50, 発行日 2005-03-25
収録物ID
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 03715949
収録物ID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA1221470X
EID
識別子 142506
識別子タイプ URI
言語
言語 jpn
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Ver.1 2024-10-09 10:27:51.065041
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