Item type |
文献 / Documents(1) |
公開日 |
2017-11-22 |
アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
出版社版DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.7567/APEX.8.036602 |
出版タイプ |
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出版タイプ |
AM |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
タイトル |
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タイトル |
Resistivity anisotropy measured using four probes in epitaxial graphene on silicon carbide |
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言語 |
en |
著者 |
コバヤシ, ケイスケ
タナベ, シンイチ
タオ, タクト
オクムラ, トシオ
ナカシマ, タケシ
アリツキ, タクヤ
O, Ryong-Sok
永瀬, 雅夫
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抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The electronic transport of epitaxial graphene on silicon carbide is anisotropic because of the anisotropy of the surface structure of the substrate. In this Letter, we present a new method for measuring anisotropic transport based on the van der Pauw method. This method can measure anisotropic transport on the macroscopic scale without special equipment or device fabrication. We observe an anisotropic resistivity with a ratio of maximum to minimum of 1.62. The calculated maximum mobility is 2876cm2·V-1·s-1, which is 1.43 times higher than that obtained by the standard van der Pauw method. |
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言語 |
en |
書誌情報 |
en : Applied Physics Express
巻 8,
号 3,
p. 036602,
発行日 2015-02-26
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収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
18820786 |
収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
18820778 |
収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA12295133 |
出版者 |
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出版者 |
The Japan Society of Applied Physics |
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言語 |
en |
権利情報 |
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言語 |
en |
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権利情報 |
© 2015 The Japan Society of Applied Physics |
EID |
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識別子 |
290748 |
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識別子タイプ |
URI |
言語 |
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言語 |
eng |