WEKO3
アイテム / Research on Interface State and Reliability of 4H-SiC MOSFETs with Thermal Gate Oxide / k3448_abstract
k3448_abstract
| ファイル | ライセンス |
|---|---|
 k3448_abstract.pdf (93.8 kB)
sha256
fee1ad4899b7784b340156779fc594166762675a36bc2dfa37aea3c280552a68
|
| 公開日 | 2020-10-05 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイル名 | k3448_abstract.pdf | |||||
| 本文URL | https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/record/2008244/files/k3448_abstract.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | abstract | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 91.6 KB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
|---|