WEKO3
アイテム
Research on Interface State and Reliability of 4H-SiC MOSFETs with Thermal Gate Oxide
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/2008244
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/20082442772d289-2daa-41ee-96a6-9042ea02b939
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k3448_abstract.pdf (91.6 KB)
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k3448_review.pdf (54.9 KB)
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k3448_fulltext.pdf (4.19 MB)
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| Item type | 文献 / Documents(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2020-10-05 | |||||||||
| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Research on Interface State and Reliability of 4H-SiC MOSFETs with Thermal Gate Oxide | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| タイトル別表記 | ||||||||||
| その他のタイトル | 4H炭化ケイ素MOSFETゲート酸化膜の界面準位及び信頼性に関する研究 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 著者 |
許, 恒宇
× 許, 恒宇
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| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Silicon carbide | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | MOSFET | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Interface State | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Reliability | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Thermal Gate Oxide | |||||||||
| 書誌情報 |
発行日 2020-09-23 |
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| 備考 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 値 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開 学位授与者所属 : 徳島大学大学院先端技術科学教育部（システム創生工学専攻） |
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| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 報告番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第3448号 | |||||||||
| 学位記番号 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 値 | 甲先第378号 | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2020-09-23 | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位授与機関名 | 徳島大学 | |||||||||
