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Modulation bandwidth improvement of III-V/Si hybrid MOS optical modulator by reducing parasitic capacitance
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/2011156
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/201115694f937b1-547c-44a6-9b36-f5e8434f2c8f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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oe_30_13_22848.pdf (3.93 MB)
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| Item type | 文献 / Documents(1) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2023-07-27 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版社版DOI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1364/OE.457444 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1364/OE.457444 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Modulation bandwidth improvement of III-V/Si hybrid MOS optical modulator by reducing parasitic capacitance | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
Tang, Hanzhi
× Tang, Hanzhi
× Li, Qiang
× Ho, Chong Pei
× 藤方, 潤一
WEKO
1425
× ノグチ, マサタカ
× タカハシ, シゲキ
× Toprasertpong, Kasidit
× タカギ, シンイチ
× タケナカ, ミツル
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | In this work, we numerically and experimentally examined the impact of parasitic capacitance on the modulation bandwidth of a III-V/Si hybrid metal-oxide-semiconductor (MOS) optical modulator. The numerical analysis revealed that the parasitic capacitance between the III-V membrane and the Si slab should be considered to achieve high-speed modulation, particularly in the case of a thick gate oxide. We also fabricated a high-speed InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator with a low capacitance using a SiO2-embedded Si waveguide. The fabricated device exhibited a modulation efficiency of 0.245 Vcm and a 3 dB bandwidth of up to 10 GHz. Clear eye patterns with 25 Gbps non-return-to-zero (NRZ) modulation and 40 Gbps 4-level pulse amplitude modulation (PAM-4) were obtained without pre-emphasis. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Optics Express 巻 30, 号 13, p. 22848-22859, 発行日 2022-06-08 |
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| 収録物ID | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 10944087 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | Optica Publishing Group | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | © 2022 Optica Publishing Group. Users may use, reuse, and build upon the article, or use the article for text or data mining, so long as such uses are for non-commercial purposes and appropriate attribution is maintained. All other rights are reserved. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EID | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子 | 398612 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
