WEKO3
アイテム
Development of device isolation technologies for GaN-based field-effect transistors
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/2002746
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/20027462d8636d5-bf1d-40ca-b1f7-9759220aaff4
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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LID201510231001.pdf (1.19 MB)
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LID201602081001.pdf (6.94 MB)
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Item type | 文献 / Documents(1) | |||||||||||
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公開日 | 2015-10-23 | |||||||||||
アクセス権 | ||||||||||||
アクセス権 | open access | |||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||||
資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||||
出版タイプ | ||||||||||||
出版タイプ | NA | |||||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||||
タイトル | ||||||||||||
タイトル | Development of device isolation technologies for GaN-based field-effect transistors | |||||||||||
言語 | en | |||||||||||
タイトル別表記 | ||||||||||||
その他のタイトル | 窒化ガリウムトランジスタにおける素子間分離技術の研究 | |||||||||||
言語 | ja | |||||||||||
著者 |
江, 瀅
× 江, 瀅
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キーワード | ||||||||||||
言語 | en | |||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | Gallium nitride | |||||||||||
キーワード | ||||||||||||
言語 | en | |||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | device isolation | |||||||||||
キーワード | ||||||||||||
言語 | en | |||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | field isolation | |||||||||||
キーワード | ||||||||||||
言語 | en | |||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | AlGaN/GaN HFET | |||||||||||
キーワード | ||||||||||||
言語 | en | |||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | GaN MOSFET | |||||||||||
書誌情報 |
発行日 2015-09-10 |
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備考 | ||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||
値 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開: 内容要旨・審査要旨 : LID201510231001.pdf 論文本文 : LID201602081001.pdf 学位授与者所属 : 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻 |
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言語 | ||||||||||||
言語 | eng | |||||||||||
報告番号 | ||||||||||||
学位授与番号 | 甲第2875号 | |||||||||||
学位記番号 | ||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||
値 | 甲先第228号 | |||||||||||
学位授与年月日 | ||||||||||||
学位授与年月日 | 2015-09-10 | |||||||||||
学位名 | ||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||||||||
学位授与機関 | ||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||
学位授与機関名 | 徳島大学 |