WEKO3
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Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/2004091
https://tokushima-u.repo.nii.ac.jp/records/200409144574e70-c961-49af-8d9b-2672daf28c3c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
jjap_55_6S1_06GF03.pdf (795 KB)
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| Item type | 文献 / Documents(1) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2017-11-22 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版社版DOI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.7567/JJAP.55.06GF03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
アリツキ, タクヤ
× アリツキ, タクヤ
× ナカシマ, タケシ
× コバヤシ, ケイスケ
× 大野, 恭秀
WEKO
740
× 永瀬, 雅夫
WEKO
420
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | The thermal decomposition of silicon carbide (SiC) is a promising method for producing wafer-scale single-crystal graphene. The optimal growth condition for high-mobility epitaxial graphene fabricated by infrared rapid thermal annealing is discussed in this paper. The surface structures, such as step-terrace and graphene coverage structures, on a non-off-axis SiC(0001) substrate were well controlled by varying the annealing time in a range below 10 min. The mobility of graphene grown at 1620 ºC for 5 min in 100 Torr Ar ambient had a maximum value of 2089 cm2V-1s-1. We found that the causes of the mobility reduction were low graphene coverage, high sheet carrier density, and nonuniformity of the step structure. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Japanese Journal of Applied Physics 巻 55, 号 6S1, p. 06GF03, 発行日 2016-04-28 |
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| 収録物ID | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 13474065 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物ID | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物ID | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA11509854 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物ID | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA12295836 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | The Japan Society of Applied Physics | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | © 2016 The Japan Society of Applied Physics | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EID | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子 | 312461 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
