| Item type |
文献 / Documents(1) |
| 公開日 |
2017-11-22 |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 出版社版DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.7567/JJAP.55.06GF03 |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
AM |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
| タイトル |
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タイトル |
Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique |
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言語 |
en |
| 著者 |
アリツキ, タクヤ
ナカシマ, タケシ
コバヤシ, ケイスケ
大野, 恭秀
永瀬, 雅夫
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The thermal decomposition of silicon carbide (SiC) is a promising method for producing wafer-scale single-crystal graphene. The optimal growth condition for high-mobility epitaxial graphene fabricated by infrared rapid thermal annealing is discussed in this paper. The surface structures, such as step-terrace and graphene coverage structures, on a non-off-axis SiC(0001) substrate were well controlled by varying the annealing time in a range below 10 min. The mobility of graphene grown at 1620 ºC for 5 min in 100 Torr Ar ambient had a maximum value of 2089 cm2V-1s-1. We found that the causes of the mobility reduction were low graphene coverage, high sheet carrier density, and nonuniformity of the step structure. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
en : Japanese Journal of Applied Physics
巻 55,
号 6S1,
p. 06GF03,
発行日 2016-04-28
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| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
13474065 |
| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
00214922 |
| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA11509854 |
| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA12295836 |
| 出版者 |
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出版者 |
The Japan Society of Applied Physics |
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言語 |
en |
| 権利情報 |
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言語 |
en |
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権利情報 |
© 2016 The Japan Society of Applied Physics |
| EID |
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識別子 |
312461 |
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識別子タイプ |
URI |
| 言語 |
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言語 |
eng |
jjap_55_6S1_06GF03.pdf (795 KB)
