| Item type |
文献 / Documents(1) |
| 公開日 |
2017-11-22 |
| アクセス権 |
|
|
アクセス権 |
open access |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| 出版社版DOI |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
https://doi.org/10.7567/JJAP.54.036502 |
|
|
言語 |
ja |
|
|
関連名称 |
10.7567/JJAP.54.036502 |
| 出版タイプ |
|
|
出版タイプ |
AM |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene |
|
言語 |
en |
| 著者 |
O, Ryong-Sok
タカムラ, マコト
フルカワ, カズアキ
永瀬, 雅夫
日比野, 浩樹
|
| 抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
We report on the effects of UV light intensity on the photo assisted electrochemical wet etching of SiC(0001) underneath an epitaxially grown graphene for the fabrication of suspended structures. The maximum etching rate of SiC(0001) was 2.5µm/h under UV light irradiation in 1wt% KOH at a constant current of 0.5mA/cm2. The successful formation of suspended structures depended on the etching rate of SiC. In the Raman spectra of the suspended structures, we did not observe a significant increase in the intensity of the D peak, which originates from defects in graphene sheets. This is most likely explained by the high quality of the single-crystalline graphene epitaxially grown on SiC. |
|
言語 |
en |
| 書誌情報 |
en : Japanese Journal of Applied Physics
巻 54,
号 3,
p. 036502,
発行日 2015-01-30
|
| 収録物ID |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
13474065 |
| 収録物ID |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
00214922 |
| 収録物ID |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AA11509854 |
| 収録物ID |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AA12295836 |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
The Japan Society of Applied Physics |
|
言語 |
en |
| 権利情報 |
|
|
言語 |
en |
|
権利情報 |
© 2015 The Japan Society of Applied Physics |
| EID |
|
|
識別子 |
289594 |
|
識別子タイプ |
URI |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
jjap_54_3_036502.pdf (1.17 MB)
