| Item type |
文献 / Documents(1) |
| 公開日 |
2018-07-13 |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 出版社版DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.7567/JJAP.56.085102 |
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言語 |
ja |
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関連名称 |
10.7567/JJAP.56.085102 |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
AM |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
| タイトル |
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タイトル |
Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC |
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言語 |
en |
| 著者 |
キタオカ, マコト
ナガハマ, タクヤ
ナカムラ, コウタ
アリツキ, タクヤ
タカシマ, カズヤ
大野, 恭秀
永瀬, 雅夫
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Carrier doping effects of water vapor and an adsorbed water layer on single-crystal graphene were evaluated. After annealing at 300 °C in nitrogen ambient, the sheet resistance of epitaxial graphene on a SiC substrate had a minimum value of 800 Ω/sq and the carrier density was estimated to be 1.2 × 1013 cm-2 for an n-type dopant. The adsorbed water layer, which acted as a p-type dopant with a carrier density of -7.4 × 1012 cm-2, was formed by deionized (DI) water treatment. The sheet resistances of graphene samples increased with humidity, owing to the counter doping effect. The estimated p-type doping amounts of saturated water vapor were -2.5 × 1012 cm-2 for DI-water-treated graphene and -3.5 × 1012 cm-2 for annealed graphene. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
en : Japanese Journal of Applied Physics
巻 56,
号 8,
p. 085102,
発行日 2017-07-12
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| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
13474065 |
| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
00214922 |
| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA11509854 |
| 収録物ID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA12295836 |
| 出版者 |
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出版者 |
The Japan Society of Applied Physics |
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言語 |
en |
| 権利情報 |
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言語 |
en |
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権利情報 |
© 2017 The Japan Society of Applied Physics |
| EID |
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識別子 |
326982 |
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識別子タイプ |
URI |
| 言語 |
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言語 |
eng |
jjap_56_8_085102.pdf (637 KB)
